Samsung Varisi Şirketin Ar-Ge Merkezini Ziyaret Etii

Samsung İdare Şurası Lider Yardımcısı Lee Jae-young, 2020 yılında birinci iş olarak şirketin Gyeonggi Eyaleti, Hwaseong'daki araştırma ve geliştirme merkezini ziyaret etti. Samsung varisi, şirketin küresel müşterileri tarafından sipariş edilen en yeni yongalarla bir arada, geliştirilmekte olan 3 nm teknolojisi üzerinde ağırlaştı. Tıpkı vakitte kuruluşun yeni yıldaki ticarileştirme planlarını tartışarak yonga üreticilerinin mikro yongalar için nanometre aralığını daha da ileriye taşımasını sağlayan mevcut FinFET teknolojisinin mimari bir ardılı olarak bilinen GAA hakkında da çeşitli açıklamalarda bulundu.

Takip edenler bilecektir, Samsung, geçen yıl nisan ayında ultraviyole teknolojilerine dayanan 5 nm'lik bir FinFET süreç teknolojisinin geliştirilmesini tamamlamış ve yeni jenerasyon nanometre süreç teknolojisi üzerinde çalıştığını duyurmuştu.

Verimlilik artışı resmi olarak açıklandı

Şirket, 5 nm süreciyle karşılaştırıldığında, 3 nm GAA teknolojisinin verimliliğinde yüzde 50'den daha düşük güç tüketimi ve yaklaşık yüzde 30 daha yüksek performans ile yüzde 35'ten fazla bir artış sağladığını söyledi.

Samsung sözcüsü, “Lee’nin Ar-Ge merkezini ziyareti, Samsung’un bellek dışı alanda en âlâ yonga üreticisi olma kelamı verdiğini bir sefer daha tüm çalışanlara hatırlattı” kelamlarıyla alanlarında en uygun olma savlarının altını çizdi. Samsung Electronics’in müşterilerinin ve pazarın gereksinim duyduğu ihtiyaçlara dayanarak, besbelli rekabet avantajları ve harika üretilebilirlik sağlamak için portföyünü genişletmeye devam edeceği de tekrar vurgulandı.

Geçen yıl, Samsung, 2030 yılına kadar dünyanın en büyük yonga sistemleri üreticisi olmak gayesiyle 133 trilyon won (111,85 milyar dolar) yatırım planı yaptığını açıklamıştı. Şirket cephesinden gelecek yeni yol haritası da merakla bekleniyor.