TSMC, 3 nm Devreler Üzerinde Çalışmaya Başladığını Duyurdu

TSMC üzere çığır açan şirketler durmadığı sürece üretim teknolojilerinin gelişimi de daima olarak devam ediyor. Münasebetiyle TSMC’nin 3 nm devre geliştirme üzerinde çalıştığını duyurması çok da şaşırtan değil. Hatta şirket, müşterileriyle erken mutabakatlara bile başladı.

N3 teknolojisinin erken geliştirme basamağından bu yana TSMC, ne sürecin spesifik karakteristiği ne de N5’in avantajları hakkında konuşmuyor. Şirket, 3 nm için tüm olası iletken yapısı seçeneklerini değerlendirdiğini ve müşterileri için ‘oldukça âlâ bir çözümle’ geldiğini söyledi. Teknik özellikler geliştirme evresinde ve şirket, paydaşlık yaptığı şirketlerin muhtaçlıklarını karşılayacağı konusunda epeyce özgüvenli.

Rekabet

TSMC’nin en büyük rakiplerinden bir tanesi olan Samsung Foundry, 3 nm (3GAAE) proses teknolojisi için nanolevha bazlı Gate-All-Around MBCFET iletkenler kullanmayı planlıyor. TSMC, rakibiyle bir rekabet içerisinde girdiğinden bu yana şirketin 5 nm devrelerine kıyasla 3 nm devrelerini geliştirmesi bekleniyor. Ayrıyeten TSMC, N3’ün yepisyeni bir teknoloji olduğunu ve gelişmiş bir N5 sürümü olmadığını da onayladı.

TSMC’nin 3nm devresinde hem derin ultraviyole (DUV) hem de ekstrem ultraviyole (EUV) litografi ekipmanı kullanacağını söylemek mümkün. TSMC’nin N5’inde 14 EUV katmanı bulunuyordu, münasebetiyle N3’te katman sayısının artması da hayli mümkün. Dünyanın en büyük yarı iletken kontratlarını yapan şirketinin EUV süreci konusunda hayli keyifli olduğu da su götürmez bir gerçek.