Samsung, Yarıiletkenler İçin Bir Gereç Keşfetti

Güney Kore merkezli teknoloji devi Samsung, amorf bor nitrür (a-BN) ismi verilen yeni bir malzeme keşfettiğini duyurdu. Samsung Advanced Institute of Techonology (SAIT) araştırmacıları, bu keşfi gerçekleştirebilmek için Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) ve University of Cambridge ile birlikte çalıştı.

Gerçekleştirilen bu ortak çalışmayla elde edilen bulgular, Nature mecmuasında yayınlandı. Araştırmacılar, gerecin, yeni kuşak yarıiletkenlerin gelişmesini hızlandıracağını düşünüyor.

Yarıiletkenlerin gelişimi hızlanacak

Teknoloji devi, yeni keşfedilen amorf bor nitrürün, sistemsiz molekül yapısıyla bor ve nitrojen atomlarını içerdiğini tabir etti. Samsung, yeni gerecin beyaz grafenden elde edildiğini fakat farklı moleküler yapısının amorf bor nitrürü kendine has bir hale getirdiğini söyledi.

Koreli şirket, elektriksel karışmayı en aza indirebilmesi ve 400 derece üzere görece düşük sıcaklıkta ince ölçekli olarak büyütülebilmesi sayesinde a-BN’in DRAM ve NAND tahlillerinde kullanılmasını beklediklerini söz etti. SAIT grafen projesi yöneticisi Hyeon-Jin Shin mevzuyla ilgili olarak şunları söyledi:

“Grafenin silikon temelli yarıiletken süreçlerle uyumluluğunu artırmak için yarıiletken alt katmanlarda büyüyen ince ölçekli grafenin 400 dereceden düşük bir sıcaklıkta uygulanması gerekiyor. Ayrıyeten grafen uygulamalarını yarıiletkenlerin ötesine taşımak için de durmaksızın çalışıyoruz.”

Şirket, yeni gereci kendi donanımlarında ne vakit kullanabilecekleriyle ilgili bir tarih vermese de bilhassa DRAM ve NAND tahlilleri olmak üzere yarıiletkenlere büyük ölçekli sunucular için yeni jenerasyon bellek tahlillerinde uygulanabileceğini tabir etti.