Yeni DRAM Çeşidi Sayesinde PC’ler Anında Açılabilecek

Bellek üreticileri, yıllardır RAM ve NAND'ın avantajlarını tek bir bellekte sunabilmenin tesirli bir yolunu arıyorlar. Bellek teknolojisindeki gelişmeler, RAM ve SSD'lerin her geçen yıl daha süratli ve daha verimli hale gelmelerini sağlıyor. Ayrıyeten bellek içi hesaplama yapmanın bir yolunu bulmaya odaklanan ve esasen bir aygıtın işlemci, bellek ve uçucu olmayan RAM’ler ortasında ileri geri bilgi gereksinimini ortadan kaldırmayı amaçlayan birçok çalışma yapılıyor.

İngiltere’de bulunan Lancaster Üniversitesi'ndeki araştırmacılar, DRAM suratlarında çalışan yeni bir tıp kalıcı bellek oluşturduklarını ve bu DRAM türünün veri yazarken gereksinim duyulan gücün yalnızca yüzde birini kullandığını söylüyorlar. UK III-V Memory ismi verilen bu yeni kuşak bellek, 20nm litografik süreç ile inşa edildi. Yazma sırasında, prototipin 2.1V'luk bir güç kullanarak dataları silebildiği ve programlayabildiği söylenirken, tipik NAND hücrelerinin bunun için 3V’luk güç harcadığına dikkat çekildi.

İngiliz araştırmacılar tarafından geliştirilen yeni DRAM çeşidi, tıpkı tabletler ve telefonlar üzere PC’lerin de anında açılmasına imkan sağlayabilir. Çalışmanın başkanı Manus Hayne, yeni belleğin bilgileri tekrar yapılandırması gerekmediğini yahut bilgi bütünlüğünü sağlamak için daima olarak yenilemesi gerekmeyeceğini söylüyor. 

UK III-V ismindeki DRAM tipi, aygıtların bir güç kaybı durumunda bilgileri saklamasını ve bilgilerin kaldığı yerden tekrar açılmasını sağlayabilir. Patent alma sürecinde olduklarını söz eden Hayne, yeni teknolojinin 100 milyar dolarlık bellek pazarının en değerli oyuncusu olabileceğine inanıyor.

Bu ortada Güney Kore merkezli bir yarı iletken üreticisi Hynix, HBM2E teknolojisini temel alan ve saniyede 460GB'ın üzerinde bilgi aktarabilen dünyanın en süratli DRAM'ini de üretmeyi planlıyor. Emsal biçimde Intel de Optane DC Kalıcı Bellek DIMM'lerini müşterileriyle buluşturmaya başladı.