Samsung, Birinci 3 nm GAAFET Yarı İletken Prototipini Üretti

Dünyanın en büyük akıllı telefon üreticilerinden biri olan ve bununla birlikte teknolojinin birçok alanında çalışmalarını sürdüren Güney Kore merkezli Samsung, yarı iletken üretiminde de dünya markası olmak için uğraşlarını sürdürüyor. Şirket, önümüzdeki 10 sene içerisinde dünyanın en bilindik yarı iletken üreticileri TSMC ve Intel üzere firmaları geçerek, dünyanın bir numaralı yarı iletken üreticisi haline gelmek istiyor.

Raporlara nazaran Samsung, yeni bir yarı iletken üretimini tamamladı. Birinci 3 nm yarı iletken çip prototipini üreten şirket, bunu yapmak için yeni bir teknoloji kullandı. Gate All Around (GAAFET) ismi verilen bu teknoloji, şu anda daldaki yarı iletkenlerin genelinde kullanılan FinFET teknolojisinden çok daha avantajlı. GAAFET, toplam silikon boyutunun yüzde 35 daha küçük olmasını sağlıyor ve güç kullanımını da yüzde 50 oranında artırıyor. Bunların yanı sıra yeni teknoloji, performans alanında da yüzde 33’lük bir artış sağlıyor.

Samsung, 3 nm GAAFET üretimini beklenenden daha erken yapabilir

Birçok sanayi gözetmeni, GAAFET çiplerinin 2022’den evvel üretilemeyeceğini ve bu yıldan evvel bu teknolojinin rastgele bir halde görülmeyeceğini belirtiyordu. Samsung ise kestirimlerin bilakis bir atak yaparak beklenenden tamı tamına 2 sene evvel 3 nm GAAFET çiplerinin prototiplerini üretti. Şayet Samsung, halihazırda çalışan bir 3 nm çip prototipine sahipse bu teknolojiyi beklenenden çok daha yakın bir vakitte görebileceğimiz manasına geliyor.

Samsung’un 3 nm GAAFET prototiplerinin üretimine beklenenden birkaç yıl evvel başlaması, seri üretimin de erken olacağı manasına geliyor. Raporlara nazaran Samsung, 3 nm GAAFET çiplerinin seri üretimine 2021 yılının birinci yarısında başlayacak. Bu adım, şu anda piyasada bulunan 7 nm işlemcilerin rafa kaldırılmasına ve büyük oranda bir performans artışına sebep olacak. Samsung’un önümüzdeki yıllarda çıkacak akıllı telefonlarında da üzerinde çalıştığı 3 nm devreleri kullanması bekleniyor.